半导体器件热阻测试仪 北京无线电仪器厂

本仪器可对各种类型锗，硅pnp及npn型三极管的瞬态热阻参数进行快速测量。选取被测管发射极正向压降vbe作为温度热敏参数，利用特定条件下vbe的温度系数m曲线之聚交特性，实现了不同恒温槽系统的m参数单点快速测试：测量对被测管施加1ms~1s的单次功率脉冲前后vbe的变化△vbe，即可得到被测管的瞬态热阻参数。本仪器的m及△vbe的数值均由数字电压表自动显示。当给被测管施加1s~5000s的单次功率脉冲并同时测量其壳温时，本仪器亦可用于测量各类晶体三极管的稳态热阻参数。

技术性能：
（1）测试功率：0~750w(10v,5a或300v,2.5a)
（2）vbe电压：0~300v连续可调

分两档：0~100v(5a) 0~300v(2.5a)误差≦±3%
（3）ie电流0~5a连续可调

分两档：0~1a,0~5a。误差≦±3%
（4）m数字电压表：0~-4.00（mv/℃）
（5）△vbe数字电压表：0~999（mv）
（6）功率脉冲脉宽τ：1ms~1000s

分七档：1 ms,10 ms,100ms,1s（瞬态热阻测量）; 10s,100s,1000s（稳态热阻测量）。

脉宽扩展：τx1 ,τx2 ,τx5，误差≦±0.1%
（7）测试时间：a：瞬态热阻测试：≦3sb：稳态热阻测试:10s~5000s