半导体器件测试仪 北京无线电仪器厂

对于功率晶体管，通常要通过对热阻、正偏二次击穿、维持参数的测试，来确定由Zui大允许电流icm、集电极Zui大允许耗功率pcm、正偏二次击穿功率psb和维持电压vceo（sus）组成的直流安全工作区，对于军用及高可靠功率晶体管，在完成上述工作后，按照国家标准及军用标准的规定，还需加测标准所规定的直流脉冲及开关安全工作区的各项参数。例如在直流安全工作区中要检测被测管工作时ic电流的变化率k及二次击穿特性；在脉冲安全工作区要检测管的抗脉冲能力；在开关安全工作区检测被测管在规定的电阻及电感负载在饱和与截止之间的抗开关能力。本仪器就是根据上述三种安全工作区的检测要求而进行设计的，适用于对硅npn型功率管进行测试。

技术指标：
（1）直流及脉冲安全工作区：
测试功率：0~375w（rc压降=vce时）
vce数字表：0~150v
ic数字表：0~5.00a（2档）
k=ic2/ic1数字表：0.500~1.500
脉宽τ：1ms~1s（4档）脉宽扩展：τ×1、τ×2、τ×5
占空比δ：1:2~1:64（6档）
rc及re：0.1ω~4kω
（2）开关安全工作区：
vbe：0~6.00v；rbb：10 kω~1 kω（档）
rc：2ω~1 kω（9档）lc：0.1mh~30 mh (11档，可串联使用)；
vce：0~1000v ic：0~5a