MOS场效应管参数测试仪

本仪器可对n沟道及p沟道大功率mos场效应晶体管的主要技术参数进行测量。在测量注入可高达10a电流时的gm及rds(on)）等晶体管图示仪无法检测的参数时，采用了国际电工委员会（iec）所规定的脉冲法进行测量，有效地避免了被测器件的发热所引起的参数漂移和被测器件的破坏。

技术指标：
（1）栅源截止电压vgs(off)：0～±12v
（2）栅源阈值电压vgs(th)：0～±12v
（3）漏源短路时的栅源击穿电压v(br)gss：0～±1000v
（4）漏源击穿电压v(br)ds：0～±1000v
（5）漏源短路时的栅极截止电流igss：1μa～100ma
（6）零栅压时的漏极电流idss：1μa～100ma
（7）静态漏源通态电阻rds (on)）：0～1kω（vds/id）
（8）低频跨导gm：1ms～100s (vds=12v,id=0～10a脉冲测试)